0.8μm 700V BCD G3S
Overview
0.8μm 700V BCD G3S是公司的尺度高压工艺平台之一 ，是以较经济的光刻层数实现700V高压工艺 ，出格相宜离线式电源（AC/DC）和LED 驱动产品设计 ，特点为0.8μm前端/0.5μm后端 ，单层多晶 ，双层金属 ，工艺平台提供通例及隔离的5V低压CMOS、40V中压CMOS器件、700V LDMOS、700V HV 耗只管、700V JFET器件 ，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件 。
Key Features
- 0.8 micron front-end, 0.5 micron back-end design rule
- Modular concept (HR/ Zener / BJT / 700V JFET/ Special require)
- 500V LDMOS (BVds>550V)/ 650V LDMOS (BVds>700V)/700V LDMOS (BVds>750V)
- JFET Voff: -9V/-25V
- High value poly resistor; 1K or 3K
Applications
- Off-line power (AC/DC)
- LED driver
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0.8μm 40V HV Power Analog
Overview
0.8μm HV P/A是公司的新一代高压工艺平台 ，是以至少光刻层数实现的经济高压工艺 ，工艺特点为0.8μm FEOL/0.35umBEOL 线宽 ，双层多晶 ，四层金属 ，利用于数 ；旌系母哐共 。工艺平台提供通例及隔离的5V低压CMOS、25V中压和40V高压CMOS器件 ，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件 。
Key Features
- 5V logic layout & performance compatible with the industry standard
- 0.8 micron front-end, 0.35 micron back-end design rule
- Epi process for isolated devices
- Modular concept (HR/ Zener / BJT / Special require)
- Vgs/Vds=5V/25 or Vgs/Vds=5V/40V ，Vgs/Vds=25V/25 or Vgs/Vds=40V/40V HVCMOS
- High value poly resistor
- I/O cell library with 2KV HBM ESD protection levels
Applications
- LCD driver/LED driver
- Power management product
- Battery protection IC
